Ti:Sapphire　チタンサファイアレーザー結晶 

Ti:Sa Titanium Doped Sapphire Crystal (Ti:Sapphire)

Ti:Sapphire　レーザ結晶Ti:Sa Titanium doped Sapphire 結晶は広い波長チューニングレンジを持ち、高出力で、高いゲインを持つ超短パルスレーザーの媒質として、もっとも広く使われているレーザー結晶です。CASTECH社は先進的な結晶生成方法のTGT法 （Temperature Gradient Technique）を用いてTi:Sa 結晶を生成しています。

この方法は、高品質（光の散乱の無い）で大型の結晶（直径30mm長さ30mm）を転位密度が102cm-2以下で生成することができます。TGT法で生成されたTi:Sa 結晶は高いゲインと高いダメージ閾値を持ち、ドーピングレベルも高くなります。(a490= 4.0cm-1) 

Ti:Sa レーザー結晶は数量１つから販売しております。
Ti:Sa レーザー結晶ご購入の際は、ご希望のサイズ　ご希望のコーティング　数量をお知らせください。

Ti:Sa 結晶のメインアプリケーション

  • チューニング可能な波長域が700nmから1000nmまでと、とても広い範囲ををカバーするチタンサファイアは色素レーザー持つ数多くのアプリケーションを一台で代用することが可能です。
  • 超薄型のBBO結晶等の非線形光学結晶による高調波発生で、チタンサファイアはUV（紫外光）や193nmまでのDUV（深紫外光）の波長でパルス幅10fs以下の超短パルスレーザーとして発振することができます。
  • Ti:Sa はOPOチューナブルレンジを格段に広げる励起光源としても広く使われています。.

Ti:Sa 結晶の基礎特性

Chemical formula: Ti3+: Al2O3
Crystal structure: Hexagonal
Lattice constants: a=4.758 Å,   c=12.991 Å
Density:   3.98 g/cm3
Melting point: 2040 oC
Mohs hardness:       9
Thermal conductivity: 52 W/m/k
Specific heat:   0.42 J/g/k
Laser action:    4 – Level Vibronic
Fluorescence lifetime: 3.2 µs (T=300 K)
Tuning range: 660 ～ 1050 nm
Absorbtion range: 400 ～ 600 nm
Emission peak:          795 nm
Absorption peak: 488 nm
Refractive index: 1.76 @ 800 nm
Peak Cross-section: 3 – 4 × 10-19 cm2
thermal Expansion: 8.40 × 10-6 /℃

Ti:Sa 結晶の標準仕様

  • Orientation: Optical axis C normal to rod axis
  • Ti2O3 concentration: 0.06 – 0.26atm %
  • Figure Of Merit(FOM): 100~250(>250 available on special requests)
  • α490: 1.0-4.0cm-1
  • Diameter: 2-30mm or specified
  • Path Length: 2-30mm or specified
  • End configurations: Flat/Flat or Brewster/Brewster ends
  • Flatness: <λ/10 @ 633 nm
  • Parallelism: <10 arc sec
  • Surface finishing: <40/20scratch/dig to MIL-PRF-13830B
  • Wavefront distortion: <λ/4 per inch
Ti:Sa レーザー結晶は数量１つから販売しております。
Ti:Sa レーザー結晶ご購入の際は、ご希望のサイズ　ご希望のコーティング　数量をお知らせください。
価格・納期等弊社営業部よりご回答申し上げますのでお気軽にお問い合わせください。

最終更新日2014年11月22日